时间:2016-02-15 14:36:31 来源:当游网 作者:当游网 编辑:rawsyww 字体大小:
前段时间A卡的Polaris显卡大放异彩,而N卡也不甘示弱了,意大利媒体Bitchips网站日前曝光了NVIDIA的Pascal新卡的路线图,用户们在4月份就将看到基于GP100核心的Tesla专业卡了。
发售时间:
-今年4月份GTC大会上,NVIDIA会首先发布基于GP100核心的Tesla专业卡
-6月份的台北电脑展(ComputerX)上,NVIDIA会发布GTX 1080/1070显卡,基于GP104核心
-主流的GP106及GP107核心要等到今年Q4了,它们接班的是GTX 960、GTX 950
-GP100核心的消费级版本——新一代TITAN则更晚,今年Q4季度甚至是明年Q1季度
-至于最低端的GP108要等到明年Q1到Q2季度,很可能直接用NV擅长的GM108马甲法。
简单总结一下,2016年NVIDIA开年重磅之作会首先在4月份的GTC大会(会议是4月4-7日)上亮相,6月份台北电脑展上轮到GP104核心登场,桌面旗舰显卡GTX 1080/1070问世(最终名字还不确定),年底才会升级中端产品线,GTX Titan产品线则要到今年底甚至明年初。至于低端产品线,弄不好就用GM108这种马甲凑合下了。
如果传言为真,那么32GB HBM2代显存在4月份就能见到,直接遏住A卡野心。不过GP106、GP107这些肯定是GDDR5X显存了,搭配256-bit位宽的总带宽预计320-448GB/s,接近第一代HBM的512GB/s。
另外,NV与A卡不同的一点在于采用的台积电16nm FinFET工艺。
以下是关于帕斯卡核心的特性:
-带宽和计算性能会提升大约5倍,再加上支持NVLink多核心互连,理论上总共可提升约10倍性能
-支持2K及以上的分辨率
-DX12支持,特性级别12.1及更高
-GM200核心的继任者
-16nm FinFET+制程,台积电独家代工
-170亿个晶体管创史,是GM200核心的两倍之多
-2015年6月流片
-Pascal将采用1个核心+4个HBM显存堆栈的封装方式,每个HBM为4 Hi(堆叠)
-位宽4096bit
-NVLink总线
-采用夹层接口或者叫中间接口(mezzanine connector)高端款和PCI-E款
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